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| 真空鍍膜磁控濺射常見知識 |
| 發(fā)布時間：2021-08-25 瀏覽： 次 |
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直流濺射(DC Magnetron Sputtering)、射頻濺射(RF Magnetron Sputtering)、脈沖濺射(PulsedMagnetro n Sp uttering)和中頻濺射(Medium Fre2quency Magnetro n Sp uttering) 反應(yīng)濺射是在濺射系統(tǒng)里的惰性氣體氣氛中，通入一定比例的反應(yīng)氣體，通常用作反應(yīng)氣體的主要是氧氣和氮氣。 直流濺射方法用于被濺射材料為導(dǎo)電材料的濺射和反應(yīng)濺射鍍膜中，其工藝設(shè)備簡單，有較高的濺射速率。 中頻交流磁控濺射在單個陰極靶系統(tǒng)中，與脈沖磁控濺射有同樣的釋放電荷、防止打弧作用。中頻交流濺射技術(shù)還應(yīng)用于孿生靶(Twin2Mag)濺射系統(tǒng)中，中頻交流孿生靶濺射是將中頻交流電源的兩個輸出端，分別接到閉合磁場非平衡濺射雙靶的各自陰極上，因而在雙靶上分別獲得相位相反的交流電壓，一對磁控濺射靶則交替成為陰極和陽極。 孿生靶濺射技術(shù)大大提高磁控濺射運行的穩(wěn)定性，可避免被毒化的靶面產(chǎn)生電荷積累，引起靶面電弧打火以及陽極消失的問題，濺射速率高，為化合物薄膜的工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。 |
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