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| CVD技術和工作原理分析 |
| 發(fā)布時間：2014-12-01 瀏覽： 次 |
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一般把反應物是氣態(tài)而生成物之一的固態(tài)的反應稱為CVD反應,CVD技術原理是建立在化學反應基礎上的。 目前常用的CVD沉積反應一般有以下幾種原理。 1、熱分解反應 2、氫還原反應 3、置換或合成反應 4、化學輸運反應 5、固相擴散反應 CVD技術的優(yōu)點主要包括以下幾個方面： 1、應用范圍廣 2、成膜速度快 3、工作是在低真空條件下進行的，因此鍍膜的繞射性好，在形狀復雜，如有深孔，細孔的工件上都能均勻鍍膜。 4、由于反應氣體、反應產物和基片的相互擴散，可以得到附著強度好的鍍膜，這對于制備耐磨、抗腐蝕等表面強化膜是很重要的。 5、由于薄膜生長的溫度比膜材的熔點低得多，因此能得到高純度、結晶完全的膜層，這是某些半導體用鍍層所必需的。膜層純度高，結晶完全是由于低溫生長，反應氣體和反應器壁以及其中所含不純物幾乎不發(fā)生反應，對膜層玷污少等原因所致。 6、CVD可以獲得平滑的沉積表面。在沉積過程中成核率高，成核密度大，在整個平面上分布均勻，從而可產生宏觀平滑的表面。 7、輻射損傷低，這是制造MOS(金屬氧化物半導體)等器件不可缺少的條件。 CVD技術的一些缺點主要有： 1、有時參加沉積的反應物及反應后的氣體易燃、易爆、有毒或具有腐蝕性，因此需要采取預防措施。2、欲對基材 局部或某個表面沉積薄膜很困難，3、反應溫度高，一般為1000攝氏度左右。 推薦閱讀 |
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