技術(shù)中心
| 磁控濺射鍍膜設(shè)備濺射原理分析 |
| 發(fā)布時間：2014-09-23 瀏覽： 次 |
|
真空鍍膜機設(shè)備濺射鍍膜是把靶材和基體一起放入真空室中，然后利用正離子轟擊作為陰極的靶，使靶材中的原子、分子逸出并在基體表面上凝聚成膜。 直流濺射真空鍍膜機直流濺射鍍膜又稱為陰極濺射鍍膜，真空室內(nèi)真空度先抽到10-2Pa以下，使工作氣壓為10Pa，靶上加的工作直流電壓-2KV～-5KV使之產(chǎn)生異常輝光放電，從而使靶材產(chǎn)生濺射。 中頻濺射鍍膜鍍膜室常用于兩個并排安置，反應(yīng)濺射鍍膜在濺射鍍膜時，將某種反應(yīng)氣體通入鍍膜室并達(dá)到一定的分壓，即可改變或控制沉積特性，獲得不同于靶材的新物質(zhì)薄膜。 磁控濺射鍍膜磁控濺射是70年代迅速發(fā)展起來的一種“高速低溫濺射技術(shù)”。 磁控濺射是在陰極靶表面上方形成一個正交電磁場，真空鍍膜廠家當(dāng)濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區(qū)內(nèi)被加速為高能電子后，并不直接飛向陰極而是在正交電磁場作用下作來回振蕩運動。 推薦產(chǎn)品 |
  |